سه شنبه , آذر ۲۰ ۱۳۹۷

دی‌ سولفید مولیبدن

دی‌ سولفید مولیبدن (Molybdenum disulfide) با فرمول مولکولی MoS۲ یک لایه نازک از جنس مولیبدن (Mo) و گوگرد (S) بوده که یک ماده نیمه ‌هادی محسوب می ‌شود.

جزء دسته ‌ای از مواد با نام دی ‌کالکوژناید فلزات انتقالی (کالکوژن یا خانواده اکسیژن: عناصر گروه ۱۶ جدول تناوبی) است. این مواد، دو عنصری اند که یکی از عناصر تشکیل دهنده آنها فلزات انتقالی می باشد.

عناصر واسطه که به نام “فلزات انتقالی” هم شناخته می شوند، بزرگ ترین بخش جدول تناوبی (ستون های ۳ تا ۱۲ جدول) را تشکیل می دهند. فلزات انتقالی در مقایسه با فلزات قلیایی خاکی؛ ۱سخت تر، ۲شکننده تر، ۳دارای نقطه ذوب بالاتر می باشند. این فلزات ۴هادی خوب حرارت و الکتریسیته هستند.

دی‌ سولفید مولیبدن دارای؛

  1. شفافیت
  2. ضخامت حدود ۰.۷ نانومتر
  3. قدرت انتقال بار بالا در حدود ۵۰۰ cm2/Vs
  4. باند گپ مستقیم ۱.۸ الکترون ولت
  5. انطباق ‌پذیری مناسب با زیرلایه‌ های مختلف به دلیل وجود جاذبه بسیار ضعیف میان دو لایه
  6. سرعت حرکت الکترون همانند سیلیکون (پلی‌ ارگانو سیلوکسان)

سیلیکون ها یا پلی ‌ارگانو سیلوکسان‌ ها ؛ پلیمرهای معدنی هستند که در زنجیره اصلی آنها به جای اتم ‌های کربن، پیوندهای O-Si-O دارند ونیز زنجیر جانبی آنها، آلی می باشد. پرکاربردترین پلیمر از این دسته؛ پلی‌ دی‌ متیل‌ سیلوکسان با نماد PDMS (یک سیلیکون) است که در ساختار آن، به هر اتم سیلیسیم (Si) دو گروه متیل (CH۳-) نیز متصل است.

تحرک الکترون” به سرعت حرکت الکترون در حین عبور از فلزات یا مواد نیمه‌ هادی در حضور میدان الکتریکی گفته می ‌شود. موادی که تحرک الکترونی در آنها بالاست، به دلیل کاهش اتلاف انرژی و تولید گرما، برای تولید ادوات الکترونیکی مناسب‌ تر هستند.

هنگام ساخت ادوات الکترونیکی “باند گپ” نقش بسیار مهمی دارد. زیرا استفاده از باند گپ‌ های مستقیم به جای باند گپ غیرمستقیم، موجب افزایش کارایی دستگاه می‌ شود. باند گپ مستقیم برای ساخت ادواتی نظیر دیودهای نشر نوری، پیل ‌های خورشیدی و شناساگرهای نوری بسیار مهم هستند.

می‌ توان با MoS۲ ترانزیستورهای بسیار کوچکی ساخت که نسبت به ترانزیستورهای معمولی گرمای بسیار کمتری ایجاد می ‌کند.

نکته درسی بعدی

تفاوت های پماد و کرم

♦پمادها دارای فقط یک فاز (از نوع چربی) و فاقد آب می باشند. در صورتی …